Descripción

Transistor IGBT N-Canal RJP30H1 – 360V 30A TO-252

El RJP30H1 es un transistor IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y potencia. Fabricado por Renesas, este componente destaca por su tecnología de compuerta trinchada y oblea delgada, lo que le confiere una baja tensión de saturación y tiempos de conmutación rápidos.

Características técnicas

• Tipo: IGBT N-Canal
• Encapsulado: TO-252 (DPAK)
• Voltaje colector-emisor (V_CES): 360V
• Voltaje compuerta-emisor (V_GES): ±30V
• Corriente de colector continua (I_C): 30A
• Corriente de colector pico (I_C(peak)): 200A (pulso ≤10μs, ciclo de trabajo ≤1%)
• Disipación de potencia máxima (P_C): 40W
• Temperatura de operación: -55°C a 150°C
• Tiempo de subida (t_r): 80ns típico
• Tiempo de caída (t_f): 150ns típico
• Tensión de saturación colector-emisor (V_CE(sat)): 1.5V típico
• Corriente de fuga colector-emisor (I_CES): 1μA máximo

Aplicaciones comunes

El RJP30H1 es ideal para:

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
• Convertidores DC-DC
• Controladores de motores
• Equipos de soldadura
• Electrodomésticos de alta potencia

Compatibilidad

Este IGBT puede ser sustituido por modelos equivalentes como el RJP30H1DPD o el RJP30H1DPP-M0, siempre que se verifiquen las especificaciones técnicas para asegurar la compatibilidad en el circuito.

¿Cómo adquirir este producto?

Puede adquirir el RJP30H1 directamente a través de nuestra tienda online www.tienda.sator.es. Si tiene dudas sobre el proceso de compra o necesita más información, consulte nuestra página de Preguntas Frecuentes.

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