Descripción
Transistor IGBT IGB10N60T (G10T60) TO-263 – 600V, 10A, 110W
El IGB10N60T, también conocido como G10T60, es un transistor IGBT de potencia en encapsulado TO-263 (D2PAK), diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Con una tensión de colector-emisor de 600V y una corriente de colector de 10A, es ideal para fuentes de alimentación conmutadas, inversores y controladores de motor.
Características Principales
- Encapsulado: TO-263 (D2PAK)
- Tensión de colector-emisor (VCE): 600 V
- Corriente de colector (IC): 10 A
- Potencia de disipación: 110 W
- Tecnología: TRENCHSTOP™ y Fieldstop
- Temperatura máxima de unión: 175°C
- Tiempo de resistencia al cortocircuito: 5 μs
Aplicaciones Comunes
Este transistor IGBT es ampliamente utilizado en:
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
- Inversores para electrodomésticos como lavadoras y aspiradoras
- Controladores de motor
- Sistemas de iluminación industrial
Adquisición del Producto
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