Descripción
Transistor IGBT FGA25N120 – Potencia y eficiencia para aplicaciones industriales
Se vende transistor IGBT modelo FGA25N120, un componente de potencia fabricado por ON Semiconductor, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y eficiencia energética. Este IGBT de canal N integra un diodo de cuerpo monolítico con baja caída de tensión directa, ideal para sistemas de conmutación resonante.
Características técnicas del FGA25N120
- Tensión colector-emisor (VCE): 1200 V
- Corriente máxima del colector (IC): 50 A a 25 °C, 25 A a 100 °C
- Corriente de pulso (ICM): 90 A
- Potencia máxima disipada: 312 W
- Encapsulado: TO-3P
- Temperatura de operación: -55 °C a +150 °C
Aplicaciones habituales
El transistor FGA25N120 es adecuado para diversas aplicaciones industriales y comerciales, tales como:
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
- Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)
- Soldadores industriales
- Sistemas de calefacción por inducción
- Convertidores resonantes
Beneficios clave
- Alta eficiencia energética: gracias a su baja caída de tensión y rápida conmutación
- Fiabilidad: diseñado para operar en condiciones exigentes con alta corriente y tensión
- Versatilidad: adecuado para una amplia gama de aplicaciones industriales y comerciales
Cómo comprar el transistor FGA25N120
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Importante
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¿Dónde estamos y qué hacemos?
En Sator Electrónica, somos expertos en reparación y venta de componentes electrónicos desde nuestro taller en San Vicente del Raspeig (Alicante), en la Calle La Huerta 74. También puedes visitar nuestra página principal www.sator.es. Si tienes dudas, contáctanos en el 966 30 71 43 o escribe a sator@sator.es.
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