Descripción

Transistor IGBT H20R1203 – Potencia y eficiencia para aplicaciones industriales

Se vende transistor IGBT modelo H20R1203, un componente de potencia fabricado por Infineon Technologies, diseñado para aplicaciones de conmutación suave y alta eficiencia energética. Este IGBT de conducción inversa integra un diodo de cuerpo monolítico con baja caída de tensión directa, ideal para sistemas de conmutación resonante.

Características técnicas del H20R1203

• Tensión colector-emisor (V_CE): 1200 V
• Corriente máxima del colector (I_C): 20 A
• Corriente de pulso (I_CP): 40 A
• Potencia máxima disipada: 310 W
• Encapsulado: TO-247
• Temperatura de operación: -40 °C a +175 °C

Aplicaciones habituales

El transistor H20R1203 es adecuado para diversas aplicaciones industriales y comerciales, tales como:

• Placas de inducción y cocinas de inducción
• Hornos microondas con inversores
• Convertidores resonantes
• Fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia
• Otros sistemas de conmutación suave

Beneficios clave

• Alta eficiencia energética: gracias a su baja caída de tensión y rápida conmutación
• Fiabilidad: diseñado para operar en condiciones exigentes con alta corriente y tensión
• Versatilidad: adecuado para una amplia gama de aplicaciones industriales y comerciales

Cómo comprar el transistor H20R1203

Puedes adquirir este transistor directamente desde nuestra tienda online www.tienda.sator.es. Haz clic en el botón de compra, elige la cantidad deseada y finaliza el proceso de pago de forma segura. Te lo enviaremos rápidamente a tu domicilio o lugar de trabajo.

Importante

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